三星公布采用60纳米技术2Gb DDR2内存

2007年9月13日 | 分类: 业界新闻 | 标签:

三星宣布他们已经研发出了世界上第一款60nm制程的2Gb DDR2内存芯片,它的数据传输率可以达到800Mb/s,比现有的产品提升20%之多,今后的产品还有40%的提升空间.2Gbit DDR2 设备将主要用于现有的系统内存方案,替代现有的1Gb内存模块,新技术将带来更少的花费和能耗.新的60纳米技术将在明年开始批产,届时我们将可以看到更大的DRAM设备和更密集的存储量

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